香香腐宅

粤能许可〔2022〕118号

　　广东光大第三代半导体科研制造中心1区项目采用的主要技术标准和建设方案符合国家相关节能法规及节能政策的要求，原则同意该项目节能报告。项目主要建设内容包括：建设蓝绿Mini/Micro LED外延芯片生产线，主要建构筑物包括生产厂房、动力站、特气站、危废站、变电站等，主要设备包括烤盘炉、显影机、曝光机、涂胶机、研磨机、抛光机、蒸镀机、点测机、分选机、老化线、空压机等。项目设计年产蓝绿Mini/Micro LED外延芯片168万片。项目能耗量和主要能效指标：项目建成投产后，年综合能耗不高于30031吨标准煤（当量值），其中年电力消耗量不高于22342万千瓦时、天然气消耗量不高于201.6万立方米；项目单位产品电耗不高于0.56千瓦时/平方厘米。

　　本审查意见自印发之日起两年内，如项目未开工建设，自动失效。